Infineon チップN-FET ハイパワー(600V/1.8A) SPD02N60S5 20個　- [BOX111/170個]

Infineon チップN-FET ハイパワー(600V/1.8A) SPD02N60S5 20個　- [BOX111/170個] 收藏

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タイプ指定子       SPD02N60S5
マーキングコード       02N60S5
トランジスタの種類       MOSFET
制御チャネルのタイプ       Nチャネル
最大消費電力（Pd）       25 W
最大ドレイン-ソース間電圧 Vds   600 V
最大ゲート-ソース間電圧 Vgs    20 V
最大ゲートしきい値電圧 Vgs（th） 5.5 V
最大ドレイン電流 Id        1.8 A
最大接合部温度（Tj）       150°C
総ゲート電荷（Qg）       9.5 nC
立ち上がり時間（tr）       35 nS
ドレイン-ソース静電容量（Cd）  77 pF
最大ドレインソースオン状態抵抗（Rds）  3オーム
パッケージ       TO252


（2021年 10月 17日 17時 48分 追加）

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